現(xiàn)在內(nèi)存容量雖然增加了，但我們有時還是覺得系統(tǒng)可用資源很緊張，這是因為Windows對內(nèi)存的管理采取了默認方式，如果你想進一步發(fā)揮大容量內(nèi)存的性能和增加系統(tǒng)穩(wěn)定性，就要采取一些必要的優(yōu)化措施。下面，筆者就根據(jù)自己的使用心得談?wù)勅绾卧贐IOS中進行優(yōu)化設(shè)置。

1.SDRAM Timing:內(nèi)存存取時間設(shè)置

通常情況下，在開機啟動過程中，支持SPD的BIOS會自動讀取內(nèi)存SPD芯片中的信息，并按照SPD內(nèi)的預(yù)設(shè)值來設(shè)置內(nèi)存的存取時間。不過，現(xiàn)在大多數(shù)主板都提供了自定義內(nèi)存參數(shù)功能，為了讓內(nèi)存最大限度地發(fā)揮性能，你可以在BIOS中對內(nèi)存參數(shù)進行手工設(shè)置，方法是:進入BIOS設(shè)置程序的“Advanced Chipest Features”設(shè)置菜單，找到關(guān)于SPD的選項，選擇“User Define(用戶自定義)”項，即不選“By SPD”。

2.SDRAM CAS Latency:內(nèi)存信號延遲

對SDRAM內(nèi)存而言，CAS信號延遲時間的長短對內(nèi)存性能的影響很大。普通的兼容內(nèi)存一般只能在CL=3的模式下工作。不過，如果你的內(nèi)存品質(zhì)比較好，則可以在CL=2下能正常工作。這時如果BIOS沒有正確讀取SPD芯片中的信息，且在BIOS中的“SDRAM CAS Latency”項的設(shè)置為“3”，那內(nèi)存中的數(shù)據(jù)就會以大于出廠設(shè)定值的延遲周期被讀取，此種情況下會導(dǎo)致CL=2內(nèi)存模塊以CL=3的模式工作，當然系統(tǒng)性能也會相應(yīng)下降。

3.DRAM Clock:內(nèi)存異步設(shè)置

采用VIA芯片組的主板可以支持內(nèi)存異步工作模式，這樣就可以使系統(tǒng)工作在100MHz外頻下，而內(nèi)存卻工作在133MHz下，這樣性能自然提高不少。關(guān)于內(nèi)存異步設(shè)置的方法很簡單，在BIOS中找到“DRAM Clock”選項，該項有三種設(shè)置:“HOST CLK”代表內(nèi)存的工作頻率等于系統(tǒng)外頻。如果系統(tǒng)外頻是100MHz，那么會看到“HOST CLK+33MHz”選項，選中即可設(shè)置內(nèi)存的工作頻率為133MHz。此外，在系統(tǒng)外頻是133MHz的情形下，還可看到“HOST CLK-33MHz”選項，選中后即可強制內(nèi)存工作在100MHz，這樣就可以繼續(xù)使用原來的PC100內(nèi)存。