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Ww+DDR/SD內(nèi)存條在計(jì)算機(jī)中基本工作原理

作者:佚名    文章來源:本站原創(chuàng)    點(diǎn)擊數(shù):    更新時間:2014/1/8
    核心提示:

Ww+DDR/SD內(nèi)存條在計(jì)算機(jī)中基本工作原理: 
內(nèi)存由CPU通過北橋發(fā)給控制總線,地址總線來控制數(shù)據(jù)交換,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的中轉(zhuǎn)、暫存。。。  
 
SD內(nèi)存條金手指引腳功能定義 
1 VSS 22 NC 43 VSS 64 VSS 85 VSS 106 NC 127 VSS 148 VSS 2 D0 23 VSS 44 NC 65 D21 86 D32 107 VSS 128 CKE0 149 D53 3 D1 24 NC 45 S2# 66 D22 87 D33 108 NC 129 S3# 150 D54  
4 D2 25 NC 46 DMB2 67 DQ23 88 D34 109 NC 130 DMB6 151 D55  5 D3 26 VDD 47 DMB3 68 VSS 89 D35 110 VDD 131 DMB7 152 VSS 6 VDD 27 WE# 48 NC 69 D24 90 VDD 111 CAS# 132 NC 153 D56 7 D4 28 DMB0 49 VDD 70 D25 91 D36 112 DMB4 133 VDD 154 D57 8 D5 29 DMB1 50 NC 71 D26 92 D37 113 DMB5 134 NC 155 D58 9 D6 30 S0# 51 NC 72 D27 93 D38 114 S1# 135 NC 156 D59 
10 D7 31 NC 52 NC 73 VDD 94 D39 115 RAS# 136 NC 157 VDD 11 D8 32 VSS 53 NC 74 D28 95 D40 116 VSS 137 NC 158 D60 12 VSS 33 A0 54 VSS 75 D29 96 VSS 117 A1 138 VSS 159 D61 13 D9 34 A2 55 D16 76 D30 97 D41 118 A3 139 D48 160 D62 14 D10 35 A4 56 D17 77 D31 98 D42 119 A5 140 D49 161 D63 15 D11 36 A6 57 D18 78 VSS 99 D43 120 A7 141 D50 162 VSS 16 D12 37 A8 58 D19 79 CK2 100 D44 121 A9 142 D51 163 CK3 17 D13 38 A10 59 VDD 80 NC 101 D45 122 BA0 143 VDD 164 NC 18 VDD 39 BA1 60 D20 81 NC 102 VDD 123 A11 144 D52 165 SA0 19 D14 40 VDD 61 NC 82 SDA 103 D46 124 VDD 145 NC 166 SA1 20 D15 41 VDD 62 NC 83 SCL 104 D47 125 CK1 146 NC 167 SA2 21 NC 42 CK0 63 CKE1 84 VDD 105 NC 126 A12 147 NC 168 VDD 廣東江山科技公司(編)--DDR/SD內(nèi)存分區(qū)檢測儀 (1) 
DDR內(nèi)存條金手指引腳功能定義 
1 VREF 24 D17 47 DNU 70 VDD 93 VSS 116 VSS 139 VSS 162 D47 2 D0 25 DS2 48 A0 71 NC 94 D4 117 D21 140 DNU 163 NC 
3 VSS 26 VSS 49 DNU 72 D48 95 D5 118 A11 141 A10 164 VDDQ 4 D1 27 A9 50 VSS 73 D49 96 VDDQ 119 DM2 142 DNU 165 D52  5 DS0 28 D18 51 DNU 74 VSS 97 DM0 120 VDD 143 VDDQ 166 D53 6 D2 29 A7 52 BA1 75 CK2# 98 D6 121 D22 144 DNU 167 A13  7 VDD 30 VDDQ 53 D32 76 CK2 99 D7 122 A8 145 VSS 168 VDD 8 D3 31D19 54 VDDQ 77 VDDQ 100 VSS 123 D23 146 D36 169 DM6  9 NC 32 A5 55 D33 78 DS6 101 NC 124 VSS 147 D37 170 D54 10 NC 33 D24 56 DS4 79 D50 102 NC 125 A6 148 VDD 171 DQ55 11 VSS 34 VSS 57 D34 80 D51 103 NC 126 D28 149 DM4 172 VDDQ 12 D8 35 D25 58 VSS 81 VSS 104 VDDQ 127 D29 150 D38 173 NC 13 D9 36 DS3 59 BA0 82 NC 105 D12 128 VDDQ 151 D39 174 D60 14 DS1 37 A4 60 D35 83 D56 106 D13 129 DM3 152 VSS 175 D61  15 VDD 38 VDD 61 D40 84 D57 107 DM1 130 A3 153 D44 176 VSS 
16 CK1 39 D26 62 VDDQ 85 VDD 108 VDD 131 D30 154 RAS# 177 DM7 17 CK1# 40 D27 63 WE# 86 DS7 109 D14 132 VSS 155 D45 178 D62 18 VSS 41 A2 64 D41 87 D58 110 D15 133 D31 156 VDDQ 179 D63 
19 D10 42 VSS 65 CAS# 88 D59 111 CKE1 134 DNU 157 S0# 180 VDDQ 20 D11 43 A1 66 VSS 89 VSS 112 VDDQ 135 DNU 158 S1# 181 SA0 21 CKE0 44 DNU 67 DS5 90 NC 113 NC 136 VDDQ 159 DM5 182 SA1 22 VDDQ 45 DNU 68 D42 91 SDA 114 D20 137 CK0 160 VSS 183 SA2 23 D16 46 VDD 69 D43 92 SCL 115 A12 138 CK0# 161 D46 184 VDDSPD 
內(nèi)存在控制總線,地址總線的控制下,每次以64位數(shù)據(jù)(D0-D63)與北橋和CPU進(jìn)行交換,所以D0-D63中只要一數(shù)據(jù)內(nèi)存出現(xiàn)錯誤,CPU就不能正常運(yùn)轉(zhuǎn)。(不能顯示,藍(lán)屏,重啟)。 
計(jì)算機(jī)中程序:BOIS和DOS占用內(nèi)存最低位地址存儲空間,接著為WINDOWS,然后為應(yīng)用程序使用。 如果任何一數(shù)據(jù)完全不能交換數(shù)據(jù),為不能顯示 
如果數(shù)據(jù)壞區(qū)在中間地址存儲空間,為能顯示,但不能按裝WINDOWS 
如果數(shù)據(jù)壞區(qū)在高位地址存儲空間,為能顯示,能按裝WINDOWS,但其他應(yīng)用程序不能正常工作 DDR/SD內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu) 
由于單一內(nèi)存芯片不能提供CPU所需64位數(shù)據(jù),所以用多顆內(nèi)存芯片同時工作提供CPU所需64位數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)如下: 每個內(nèi)存芯片也有自己的數(shù)據(jù)位,即每個傳輸周期能提供的數(shù)據(jù)量。理論上,完全可以做出一個數(shù)據(jù)位為64位的芯片來滿足CPU的需要,但這對技術(shù)的要求很高,在成本和實(shí)用性方面也都處于劣勢。所以芯片的數(shù)據(jù)位一般都較小。臺式機(jī)市場所用的SD/DDR芯片位寬最高也就是16bit,常見的則是8bit。這樣,為了組成CPU所需的數(shù)據(jù)位,就需要多顆芯片并聯(lián)工作。對于16位芯片,需要4顆(4×16位=64位)。對于8位芯片,則就需要8顆了。(8×8位=64位)。對于4位芯片,則就需要16顆了。(16×4位=64位)。 
隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用的發(fā)展,一個計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)系統(tǒng)只有一組64位數(shù)據(jù)已經(jīng)不能滿足容量的需要(一組64位數(shù)據(jù)常稱呼為"面")。所以,芯片組開始可以支持多組64位數(shù)據(jù),一次選擇一組64位數(shù)據(jù)工作,這就有了芯片組支持多少(物理內(nèi)存)組的說法。而在Intel的定義中,則稱組為行(Row),比如845G芯片組支持4個行,也就是說它支持4個組,但組與行是一樣。 
下面為通過DDR/SD內(nèi)存分區(qū)檢測儀分析故障位置,發(fā)生故障原因。 廣東江山科技公司(編)--DDR/SD內(nèi)存分區(qū)檢測儀 (2) 
DDR為三條時鐘供給內(nèi)存條,一般為:四片裝只用二條,一條供給1,2內(nèi)存芯片,另一條供給3,4內(nèi)存芯片。 八片裝用三條,一般為:1,2,3內(nèi)存芯片共用一條,4,5,6內(nèi)存芯片共用一條,7,8內(nèi)存芯片共用一條。 十六片裝和雙面八片裝與八片裝類似,區(qū)別為它同時供給雙面內(nèi)存芯片。 SD為四條時鐘供給內(nèi)存條,一般為:四片裝每一條供給一顆內(nèi)存芯片, 
八片裝用四條,一般為:1,2內(nèi)存芯片共用一條,3,4內(nèi)存芯片共用一條,5,6內(nèi)存芯片共用一條,7,8內(nèi)存芯片共用一條。 
十六片裝和雙面八片裝與八片裝類似,區(qū)別為它同時供給雙面內(nèi)存芯片。 DDR/SD內(nèi)存條故障原因,故障位置,檢測分析 
首先簡單扼要說明DDR與SD的區(qū)別: DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為"雙倍數(shù)據(jù)流
SDRAM"。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍珼DR能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢來打敗昔日的對手RDRAM,成為當(dāng)今的主流。DDR與SD存儲結(jié)構(gòu)完全相同,維一區(qū)別為數(shù)據(jù)IN/OUT結(jié)構(gòu)不同。SD為每一次傳輸一個數(shù)據(jù),DDR為每一次傳輸二個數(shù)據(jù)。早期DDR在如何每一次傳輸二個數(shù)據(jù)方式稍微不同。  
(1)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈不亮(部分),說明該數(shù)據(jù)線路完全不能傳輸數(shù)據(jù),原因:芯片完全不能輸出數(shù)據(jù),線路板與電阻或芯片引腳斷開,該數(shù)據(jù)線路短路到地,金手指接觸不良。 
(2)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈一直處于高亮狀態(tài)(部分),原因:芯片數(shù)據(jù)完全鎖定,芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)線短路到電源,線路板或芯片引腳短路到電源。 
(3)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈一直處于高亮狀態(tài)(全部),原因:內(nèi)存條控制總線斷開,短路到電源,短路到地,金手指接觸不良。  
(4)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈閃爍(部分),說明該數(shù)據(jù)線路傳輸數(shù)據(jù)出現(xiàn)斷斷續(xù)續(xù),原因:芯片數(shù)據(jù)存儲空間出現(xiàn)嚴(yán)重壞區(qū),如果為整個內(nèi)存芯片數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈閃爍,可能該芯片控制總線,地址總線部分?jǐn)嚅_。 
(5)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈閃爍(全部),原因:內(nèi)存條控制總線,地址總線部分?jǐn)嚅_,相鄰地址總線短路,使地址紛亂,出錯。 
(6)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)線路故障顯示紅燈不亮(全部),原因:內(nèi)存條控制總線斷開,短路到電源,短路到地,金手指接觸不良。 
(7)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)壞區(qū)顯示綠燈亮(部分,紅燈正常情況),原因:芯片數(shù)據(jù)存儲空間出現(xiàn)壞區(qū),這類內(nèi)存條有的能顯示,但不能按裝WINDOWS,或其他應(yīng)用程序不能正常工作。 
(8)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-在檢測SD內(nèi)存條時主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)壞區(qū)顯示綠燈亮(全部,紅燈正常情況),原因:內(nèi)存條中有壞內(nèi)存芯片并使控制總線受干擾,這類故障的解除為:獨(dú)一把內(nèi)存芯片拆卸再檢測(內(nèi)存分區(qū)檢測儀在內(nèi)存條上只有一顆芯片時也能正常進(jìn)行檢測)注:如為SD內(nèi)存條可在DDR狀態(tài)下進(jìn)行檢測,因?yàn)镈DR狀態(tài)下內(nèi)存分區(qū)檢測儀抗干擾能力強(qiáng);蚴堑刂房偩部分?jǐn)嚅_,相鄰地址總線短路,使地址紛亂,出錯。 
(9)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-在檢測DDR內(nèi)存條時主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)壞區(qū)顯示綠燈亮(全部,紅燈正常情況),原因:內(nèi)存條中有壞內(nèi)存芯片并使控制總線受干擾,VREF參考電壓受內(nèi)存條中壞內(nèi)存芯片影響。 廣東江山科技公司(編)--DDR/SD內(nèi)存分區(qū)檢測儀 (3) 
(10)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-主檢測結(jié)果有數(shù)據(jù)壞區(qū)顯示綠燈亮(相鄰二芯片或三芯片,紅燈正常情況),該情況一般為時鐘受干擾,內(nèi)存條上時鐘匹配電路(電阻,電容)變值,損壞。時鐘線路斷開,關(guān)系時鐘金手指接觸不良。同樣:如為SD內(nèi)存條可在DDR狀態(tài)下進(jìn)行檢測,因?yàn)镈DR狀態(tài)下內(nèi)存分區(qū)檢測儀抗干擾能力強(qiáng)。 
(11)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-輔助檢測結(jié)果為使檢測結(jié)果更正確,判斷芯片數(shù)據(jù)線是否處于鎖定狀態(tài)。 
(12)內(nèi)存分區(qū)檢測儀-地址故障顯示(黃燈不亮),該地址線路短路到電源,短路到地,相鄰地址線路短路。 
上圖為X16芯片引腳功能定義,如為X8芯片4,7,10,13,54,57,60,63為空腳。為X4芯片2,4,7,8,10,13,54,57,59,60,63,65為空腳。

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