DDR2是Double Data Rate 2的簡稱，DDR2是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。DDR2內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)同樣采用了在時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但與DDR內(nèi)存不同的是，DDR2擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力。即DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)代鐘能夠以4倍外部總線的速度讀／寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式（DDR內(nèi)存采用ISOP TSOP-II封裝形式），因此可以為內(nèi)存提供更為良好的電氣性能與散熱性。DDR2內(nèi)存的工
作頻率主要有DDR2 400、DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800等幾種規(guī)格。DDR2內(nèi)存插槽共有240個(gè)針腳，它已經(jīng)取代了DDR內(nèi)存，成為目前的主流產(chǎn)品。圖2-7和表2-4所示為DDR2內(nèi)存插槽和各個(gè)引腳的功能。
檢修提示：
內(nèi)存插槽容易出現(xiàn)接觸不良、燒壞、內(nèi)存供電電路中的電容，場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等損壞后，引起開機(jī)報(bào)警，用診斷卡檢測顯示C1或D3故障代碼，或內(nèi)存容量與實(shí)際不符，或死機(jī)，自動(dòng)重啟，花屏等故障。
診斷檢修順序：
(l)清潔內(nèi)存插槽，觀察插槽中有沒有損壞的針，或有沒有燒壞的地方。觀察插槽附近的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等有無鼓包，燒壞等明顯損壞故障。
(2)用橡皮清潔內(nèi)存金手指。
(3)重新安裝內(nèi)存條。
(4)測量內(nèi)存的1.8V和0.9V供電電壓，不正常的話，測量供電電路中的電容，場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器。    時(shí)近的排電阻。
圖2-7主板DDR2內(nèi)存插槽

(5)比較各數(shù)據(jù)線或地址線對(duì)地阻值，不正常，檢查附近的排電阻。
DDR內(nèi)存插槽電路如圖2-8所示。
圖2-8 DDR內(nèi)存插槽電路圖
主板中的DDR2內(nèi)存插槽共有240個(gè)針腳，主要包括地址線、數(shù)據(jù)線、控制信號(hào)線、時(shí)鐘信號(hào)線、電源線和地線等，各引腳具體功能如下：
(1) DQO-DQ63：數(shù)據(jù)線。
(2) AO-A16:地址線。
(3) CKO#-CK2#:時(shí)鐘信號(hào)。
(4) CKO-CK2:時(shí)鐘信號(hào)。
(5) CKEO和CKEl:系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)。
(6)NC：空腳。
(7)VSS:地線。
(8) VDD: 1.8V供電。
(9) VDDQ: 1.8V供電。
(10) CAS#:列選信號(hào)。
(11) RAS#:行選信號(hào)。
(12) DQSO-DQS17：校驗(yàn)位。
(13) CBO-CB7:字節(jié)允許信號(hào)。
(14)WE#：低電平寫信號(hào)。
DDR2內(nèi)存插槽電路圖如圖2-9所示。