筆記本維修基礎(chǔ)知識：DDR3 SODIMM內(nèi)存插槽介紹
筆記本維修基礎(chǔ)知識：DDR3 SODIMM內(nèi)存插槽介紹
DDR3是Double Data Rate 3的簡稱，DDR3是在DDR2的基礎(chǔ)上開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標準。DDR3內(nèi)存技術(shù)標準同樣采用了在時鐘的上升／下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞�，但與DDR2內(nèi)存不同的是，DDR3采用8bit預(yù)取設(shè)計，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR2-800的核心工作頻率只有100MHz.DDR3采用點對點的拓撲架構(gòu)，采用100nm的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置(Reset)與zQ校準功能。
DDR3SODIMM內(nèi)存的工作頻率主要有800、1066、1333、1600等幾種規(guī)格。DDR3 SODIMM內(nèi)存插槽共有204只針腳，是目前的主流產(chǎn)品。如圖2-9和表2-5所示為DDR3 SODIMM內(nèi)存插槽和各個引腳的功能。
檢修提示：
內(nèi)存插槽容易出現(xiàn)接觸不良、燒壞，內(nèi)存供電電路中的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等損壞后，引起開機報警，用診斷卡檢測顯示C1或D3故障代碼，或出現(xiàn)內(nèi)存容量與實際不符、死機、自動重啟，花屏等故障。
診斷檢修順序：
(1)清潔內(nèi)存插槽，觀察插槽中有沒有損壞的針腳，或有沒有燒壞的地方。觀察插槽附近的電容，場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等有無鼓包、燒壞等明顯損壞故障。
(2)用潔內(nèi)存金手指。
(3)重新安裝內(nèi)存條。
(4)測量內(nèi)存的1.5V和0.75V供電電壓，若不正常的話，則測量供電電路中的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器。
(5)比較各數(shù)據(jù)線或地址線對地阻值，若不正常，檢查附近的排電阻。
圖2-9 SODIMM DDR3內(nèi)存插槽
表2-5 SODIMM DDR3內(nèi)存各針腳功能
主板中的DDR3 SODIMM內(nèi)存插槽共有204個針腳，主要包括地址線、數(shù)據(jù)線、控制信號線，時鐘號線、電源線和地線等，各引腳具體功能如下：
(1)DQO-DQ63：數(shù)據(jù)線。
(2)AO-A16:地址線。
(3) CKO#-CK2#:時鐘信號。
(4)CKO-CK2：時鐘信號。
(5)CKEO和CKEl:系統(tǒng)時鐘信號。
(6)NC:空腳。
(7) VSS:地線。
(8) VDD: 1.5V供電。
(9) VDDSPD: 1.5V供電。
(10) CAS#:列選信號。
(ll) RAS#:行選信號。
(12) DQSO-DQS17:校驗位。
(13)WE#：低電平寫信號。
DDR3 SODIMM內(nèi)存插槽電路如圖2-10所示。
