硬盤(pán)和內(nèi)存的品牌種類(lèi)繁多，型號(hào)也是“千奇百怪”，很多朋友不知道如何來(lái)判斷硬盤(pán)和內(nèi)存的優(yōu)劣，有時(shí)候買(mǎi)到的并非自己想要的。下面我們就來(lái)說(shuō)說(shuō)硬盤(pán)和內(nèi)存的一些參數(shù)含義以及這些參數(shù)如何來(lái)影響性能的，讓大家可以根據(jù)自己的需求來(lái)選擇購(gòu)買(mǎi)對(duì)應(yīng)參數(shù)的硬盤(pán)或內(nèi)存。

● 硬盤(pán)主要參數(shù)詳解：

硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解

轉(zhuǎn)速：硬盤(pán)通常是按每分鐘轉(zhuǎn)速(RPM，Revolutions Per Minute)計(jì)算：該指標(biāo)代表了硬盤(pán)主軸馬達(dá)(帶動(dòng)磁盤(pán))的轉(zhuǎn)速，比如5400 RPM就代表該硬盤(pán)中主軸轉(zhuǎn)速為每分鐘5400轉(zhuǎn)。目前主流筆記本硬盤(pán)轉(zhuǎn)速為5400RPM；臺(tái)式機(jī)硬盤(pán)則為7200RPM。但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，筆記本和臺(tái)式機(jī)均有萬(wàn)轉(zhuǎn)產(chǎn)品問(wèn)世。

單碟容量：?jiǎn)蔚�容量是硬盤(pán)相當(dāng)重要的參數(shù)之一。硬盤(pán)是由多個(gè)存儲(chǔ)碟片組合而成，而單碟容量就是指一個(gè)存儲(chǔ)碟所能存儲(chǔ)的最大數(shù)據(jù)量。目前在垂直記錄技術(shù)的幫助下，單碟容量從之前80GB升級(jí)到250GB或者320GB，而三星則推出最高334GB單碟容量。硬盤(pán)單碟容量提高不僅僅可以帶來(lái)總?cè)萘刻嵘�，有利于降低生產(chǎn)成，提高工作穩(wěn)定性；而且單碟容量越大其內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率就越快。

平均尋道時(shí)間：平均尋道時(shí)間指硬盤(pán)在盤(pán)面上移動(dòng)讀寫(xiě)磁頭到指定磁道尋找相應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，單位為毫秒。當(dāng)單碟容量增大時(shí)，磁頭的尋道動(dòng)作和移動(dòng)距離減少，從而使平均尋道時(shí)間減少，加快硬盤(pán)訪問(wèn)速度。

硬盤(pán)背面PCB詳解

緩存：緩存是硬盤(pán)與外部交換數(shù)據(jù)的臨時(shí)場(chǎng)所。硬盤(pán)讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，就像一個(gè)中轉(zhuǎn)倉(cāng)庫(kù)一樣。目前大多數(shù)硬盤(pán)緩存已經(jīng)達(dá)到16MB，而對(duì)于大容量產(chǎn)品則均為32MB容量。

內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率：內(nèi)部傳輸率是指硬盤(pán)磁頭與緩存之間的數(shù)據(jù)傳輸率，簡(jiǎn)單說(shuō)就是硬盤(pán)將數(shù)據(jù)從盤(pán)片上讀取出來(lái)，然后存儲(chǔ)在緩存上的速度。內(nèi)部傳輸率可以明確表現(xiàn)出硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度，它的高低才是評(píng)價(jià)一個(gè)硬盤(pán)整體性能的決定性因素。目前大多數(shù)桌面級(jí)硬盤(pán)基本都在70-90MB/S之間，筆記本硬盤(pán)則在55MB/S左右。

在了解完硬盤(pán)主要參數(shù)后，下面筆者教大家來(lái)通過(guò)硬盤(pán)標(biāo)示來(lái)了解該塊硬盤(pán)的容量、轉(zhuǎn)速、緩存、接口類(lèi)型等等。

● 內(nèi)存主要參數(shù)詳解：

內(nèi)存作為傳統(tǒng)電腦三大配件之一，雖然外表其貌不揚(yáng)，而且體積小巧輕薄，但作用卻非常重要。內(nèi)存可以說(shuō)是CPU處理數(shù)據(jù)的“大倉(cāng)庫(kù)”，所有經(jīng)過(guò)CPU處理的指令和數(shù)據(jù)都要經(jīng)過(guò)內(nèi)存?zhèn)鬟f到電腦其他配件上，因此內(nèi)存做工的好壞，直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

海盜船4GB DDR2-1066內(nèi)存套裝標(biāo)簽

由于內(nèi)存在標(biāo)簽上并沒(méi)有具體統(tǒng)一的格式，所以在識(shí)別時(shí)候有些麻煩。一般的標(biāo)簽都必須有的信息為容量(2048MB)、頻率(1066MHz)、延遲(5-6-6-18)、電壓(2.10V)等信息，這些也都是最基本的參數(shù)。

● 內(nèi)存延遲

內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時(shí)間，它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示，例如“5-6-6-18”。其實(shí)并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因?yàn)镃L-TRP-TRCD-TRAS這四個(gè)數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時(shí)其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。

上圖我們看到這款內(nèi)存頻率為1066MHz，延遲為“5-6-6-18”，它們代表的意義從左往右分別是：

CAS Latency，即列地址選通脈沖時(shí)間延遲，我們常說(shuō)的CL值就是它。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。

RAS－to－CAS Delay(tRCD)，對(duì)應(yīng)于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS(數(shù)據(jù)請(qǐng)求后首先被激發(fā))和CAS(RAS完成后被激發(fā))并不是連續(xù)的，存在著延遲。即內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。

Row－precharge Delay(tRP)，內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間，即內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問(wèn)結(jié)束到重新開(kāi)始的間隔時(shí)間。

Row－active Delay(tRAS)，內(nèi)存行地址選通延遲。是指從收到一個(gè)請(qǐng)求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開(kāi)始接受數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間。