內(nèi)存作為構(gòu)成微機(jī)的重要部件之一，已從早期的普通內(nèi)存，發(fā)展到目前使用的同步動態(tài)內(nèi)存。而越來越廣泛地應(yīng)用于多媒體領(lǐng)域的RDRAM和即將上市的SDRAMⅡ則照亮了微機(jī)未來發(fā)展的亮麗前景。因此，用好內(nèi)存在組裝計(jì)算機(jī)的過程中顯得越來越重要。

　　內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)

　　存儲器是具有“記憶”功能的設(shè)備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進(jìn)制數(shù)碼“0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導(dǎo)體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。

　　存儲器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述:

　　存儲容量
　　存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內(nèi)存)容量在幾十K到幾十M字節(jié)左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。
　　?存取周期
　　存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進(jìn)行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為10ns－100ns。

　　存儲器的可靠性
　　存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強(qiáng)。
　　性能價格比
　　性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項(xiàng)內(nèi)容。性能價格比是一個綜合性指標(biāo)，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非�？�，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的指標(biāo)。

　　內(nèi)存條的使用

　　內(nèi)存條的選用應(yīng)注意以下幾個方面：

　　(1)在不同的主板上提供了30線、72線或168線的內(nèi)存插槽，對應(yīng)的應(yīng)該使用合適的內(nèi)存。大多數(shù)586(以上的)主板上同時提供了72線和168線內(nèi)存插槽，但除少數(shù)主板外，一般不能同時使用兩種內(nèi)存，因?yàn)槎�者的電壓不同�?
　　(2)在主板上成組提供了內(nèi)存插槽，1組稱為1個BANK，內(nèi)存使用時必須成組地至少插滿1個BANK。586主板上必須成對使用72線內(nèi)存條，而168線內(nèi)存條可以單條使用。同時成組使用的內(nèi)存必須容量相同，其它參數(shù)也應(yīng)相同。
　　(3)內(nèi)存芯片的速度應(yīng)與主板的速度相匹配，特別是不能低于主板運(yùn)行的速度，因?yàn)檫@樣會影響整個系統(tǒng)的性能。
　　(4)168線內(nèi)存條下緣有一左右不對稱的缺口，安裝時對正內(nèi)存槽上的槽口，均勻用力向下壓，使內(nèi)存槽兩側(cè)的鎖扣扣緊內(nèi)存條即可。30線和72線內(nèi)存條的側(cè)邊上有一缺角，安裝時把內(nèi)存條帶有缺角的側(cè)邊對準(zhǔn)內(nèi)存槽上凸起的側(cè)邊，傾斜地放好后均勻用力扳正，使內(nèi)存槽兩側(cè)的鎖扣扣緊內(nèi)存條�？床粶�(zhǔn)時不要用力過大，以免損壞內(nèi)存條或內(nèi)存插槽。
　　(5)使用無奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存時要注意將主板CMOS中的奇偶校驗(yàn)開關(guān)關(guān)閉，同時不能將有奇偶校驗(yàn)位和無奇偶校驗(yàn)位的內(nèi)存混用。

　　內(nèi)存條的安裝

　　內(nèi)存的安裝隨系統(tǒng)的不同而不同,即是采用的SIMM內(nèi)存條，還是DIMM內(nèi)存條。
　　?SIMM內(nèi)存條的安裝
　　SIMM內(nèi)存條的兩端不同，其中一端帶有缺口(Cut－Out)，相應(yīng)地，SIMM內(nèi)存條插座槽的兩端也不同，因此只能從一個方向?qū)��?nèi)存條插入其插座槽中。
　　首先將內(nèi)存條按正確方向?qū)��?zhǔn)主板插座槽，以斜45度角左右將SIMM內(nèi)存條插入內(nèi)存條插座槽。然后將內(nèi)存條壓入插座槽中，使內(nèi)存條與主板垂直，同時聽到“咔”的一聲，內(nèi)存條就安裝到位了。內(nèi)存條安裝到位后，插座槽兩端的定位梢分別插入SIMM內(nèi)存條兩端的兩個定位孔中，同時插座槽兩端的兩個金屬彈片也分別將內(nèi)存條卡住。
　　如要將SIMM內(nèi)存條從主板的內(nèi)存條插座槽取出，先用雙手的姆指向外壓插座槽兩端的小金屬彈片，同時用雙手食指把內(nèi)存條向外扳倒，使內(nèi)存條脫離定位插梢，最后取出SIMM內(nèi)存條。
　　?DIMM內(nèi)存條的安裝
　　DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條的的兩端不同，DIMM內(nèi)存條的兩端是相同的，DIMM內(nèi)存條的引腳上有兩個缺口（如圖3.1所示）對應(yīng)DIMM插座槽上的兩個凸出物，這兩個缺口用于識別DIMM內(nèi)存條插入的方向。
　　安裝DIMM內(nèi)存條時，首先要將該內(nèi)存條垂直插入內(nèi)存條插座槽中，然后將內(nèi)存條壓入插座槽中，同時聽到“咔”的一聲，內(nèi)存條就安裝到位了。
　　拆卸DIMM內(nèi)存條時，用手將內(nèi)存條插槽兩端的卡子向外掰開，內(nèi)存條就彈出來了。

　　關(guān)于SDRAM內(nèi)存條與EDO內(nèi)存條的混用的問題

　　前面已談到，SDRAM是新一代的動態(tài)存儲器，又稱為同步動態(tài)存儲器或同步DRAM。它可以與CPU總線使用同一個時鐘，而EDO和FPM存儲器則是異步的。目前SDRAM存儲器的讀寫周期比EDO少3個，大約節(jié)省存儲器讀寫時間28％，但實(shí)際上由于計(jì)算機(jī)內(nèi)其它設(shè)備的制約，使用SDRAM的計(jì)算機(jī)大約可提高性能5～10％。

　　雖然有不少主板支持SDRAM與EDO內(nèi)存混合安裝方式，但一般主板生產(chǎn)廠家的技術(shù)人員都主張最好不要混用。原因是多數(shù)SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO內(nèi)存則多數(shù)在5V下工作。雖然主機(jī)板上對DIMM和SIMM分別供電，但它們的數(shù)據(jù)線總是要連在一起的，如果SIMM（72線內(nèi)存）與DIMM（168線SDRAM）混用，盡管開始系統(tǒng)可以正常工作，但可能在使用一段時間后，會造成SDRAM的數(shù)據(jù)輸入端被損壞。

　　當(dāng)然，如果你的SDRAMS是寬電壓（3V～5V）工作的產(chǎn)品，就不會出現(xiàn)這種損壞情況。目前TI和SUMSUNG的某些SDRAM產(chǎn)品支持寬電壓工作方式，可以與EDO內(nèi)存混用。

　　PC機(jī)內(nèi)存擴(kuò)容的策略

　　Windows95可以在8MB內(nèi)存的PC機(jī)上勉強(qiáng)運(yùn)行，但是最好把內(nèi)存容量增加到16MB或32MB。把內(nèi)存從8MB擴(kuò)充到16MB很容易。PC World的測試表明，運(yùn)行Windows 95 的奔騰機(jī)的性能因此提高了29％。從費(fèi)用上來看也是物有所值。如果經(jīng)常在計(jì)算機(jī)上同時運(yùn)行字處理軟件、電子表格、E－mail 程序并進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)瀏覽，就應(yīng)該把內(nèi)存擴(kuò)充到32MB。具有32MB 內(nèi)存的奔騰機(jī)進(jìn)行程序間切換才能更快，更流暢。

　　擴(kuò)充內(nèi)存最重要的事情是：一定要購買相同類型、相同速度和相同容量的存儲器。如果存儲器特性不一致將不能正常工作。最好的辦法是查閱機(jī)器系統(tǒng)手冊或者給銷售商打電話，確認(rèn)計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲器的下列情況。

　　存儲器的類型
　　存儲器RAM有幾種不同的類型,不同類型的存儲器一般不宜混合使用。
　　存儲器插槽
　　RAM存儲器芯片安裝在一塊稱為SIMM或者安裝在稱為DIMM印刷電路板卡上。SIMM存儲器有兩種，分別是30 線和72線，DIMM存儲器為168 線。
　　存儲器的速度
　　存儲器芯片最快操作速度不同，注意不能把速度較慢的存儲器安裝在速度較快的主板上。
　　奇偶校驗(yàn)
　　存儲器有帶奇偶校驗(yàn)位和不帶奇偶校驗(yàn)位的。有些主板既可以使用帶校驗(yàn)位的存儲器也可以使用不帶校驗(yàn)位的存儲器，但是不能把兩種存儲器混用。
　　存儲器的容量
　　擴(kuò)充計(jì)算機(jī)的內(nèi)存時存儲器的容量必須對稱。