PC硬件超頻之內(nèi)存超頻方法

作者：佚名文章來源：不詳點(diǎn)擊數(shù)：更新時間：2011/6/16

核心提示：PC硬件超頻之內(nèi)存超頻方法：超頻CPU和顯卡可以讓PC游戲性能提升，然而對于內(nèi)存而言，超頻同樣顯得重要，而且在超頻CPU的同時，內(nèi)存也同樣需要進(jìn)行超頻設(shè)置。盡管不少用戶很少在內(nèi)存超頻上打注意，但是對于

　　PC硬件超頻之內(nèi)存超頻方法：超頻CPU和顯卡可以讓PC游戲性能提升，然而對于內(nèi)存而言，超頻同樣顯得重要，而且在超頻CPU的同時，內(nèi)存也同樣需要進(jìn)行超頻設(shè)置。盡管不少用戶很少在內(nèi)存超頻上打注意，但是對于每一個游戲用戶而言，內(nèi)存的超頻更加值得關(guān)注。

　　1．內(nèi)存同步超頻

　　對于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來說，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。

　　首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進(jìn)行超頻時，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個平臺，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlon XP 1800+默認(rèn)外頻為133MHz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。

　　由于我們將CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是DDR266內(nèi)存，為了滿足CPU超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的DDR266（133MHz）超頻到DDR333（166MHz）使用。具體方法是進(jìn)入BIOS設(shè)置，找到“Advanced Chipset Features” 選項(xiàng)，然后會看到一個“DRAM Clock”選項(xiàng)，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項(xiàng)，在這里我們選擇“166MHz”并回車（如圖15），保存設(shè)置并退出即實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。

圖15

　　需要注意的是，超頻后的內(nèi)存在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，可能造成死機(jī)，所以內(nèi)存超頻還需要看內(nèi)存本身的品質(zhì)，一般而言，市場上普遍常見的現(xiàn)代（Hyundai）、三星（Samsung）兼容DDR內(nèi)存，其都不具備很好的超頻性能，要讓內(nèi)存更穩(wěn)定超頻，建議購買金士頓（Kingston）、勝創(chuàng)（Kingmax）等盒裝內(nèi)存條。

　　2．內(nèi)存異步超頻

　　在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。

　　對于支持SDRAM內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板BIOS中，可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Host Clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，Hclk-33M表示總線頻率減少33M，而Hclk+33M可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33MHz，比如將賽揚(yáng)1.0G外頻從100MHz超到125MHz，而你的內(nèi)存為PC133規(guī)格（即標(biāo)準(zhǔn)外頻為133MHz），此時在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”，可以讓賽揚(yáng)1.0G工作在125MHz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133MHz頻率下運(yùn)行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。

　　而對于支持DDR內(nèi)存的老主板而言（如845G芯片組），Intel規(guī)定845G只支持DDR266（133MHz×2）內(nèi)存，不過有的品牌845G主板在BIOS中加入內(nèi)存異步功能（比如微星845G MAX），在BIOS中按照4:5的比例進(jìn)行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運(yùn)行在166MHz，從而支持DDR333（166MHz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是：進(jìn)入BIOS設(shè)置中，進(jìn)入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項(xiàng)，然后進(jìn)入“DRAM Frequency（內(nèi)存頻率）”選項(xiàng)，在這里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項(xiàng)，我們直接選中“320MHz”即可（如圖16）。

圖16

　　3．增加電壓幫助超頻

　　內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來說，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對超頻越有幫助。

　　調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓的方式是進(jìn)入“Advanced Chipset Features”選項(xiàng)，然后將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到“Current Voltage”上，在這里我們看到，該主板內(nèi)存電壓分了好幾段，電壓調(diào)節(jié)范圍從1.60V～2.70V，每相鄰的兩項(xiàng)之間的差值為0.1V，我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓，每按一次增加0.1V電壓（如圖17）。需要注意的是，超頻時不要一次將內(nèi)存電壓提升太高，首先提升0.1V電壓，然后保存退出，進(jìn)入WINDOWS系統(tǒng)對內(nèi)存進(jìn)行性能測試，如果很穩(wěn)定，可以重新進(jìn)入BIOS中再次將內(nèi)存電壓提升0.1V，依次類推，直到自己滿意為止。