內(nèi)存相關(guān)技術(shù)與名詞解釋
● 內(nèi)存位寬——SDR/DDR1/2/3單條內(nèi)存都是64bit
內(nèi)存模組的設(shè)計(jì)取決于內(nèi)存控制器（集成在北橋或者CPU內(nèi)部），理論上位寬可以無(wú)限提升，但受制因素較多：高位寬將會(huì)讓芯片組變得十分復(fù)雜，對(duì)主板布線提出嚴(yán)格要求，內(nèi)存PCB更是絲毫馬虎不得，內(nèi)存顆粒及芯片設(shè)計(jì)也必須作相應(yīng)的調(diào)整�？芍^是牽一發(fā)而動(dòng)全身，所以多年來(lái)業(yè)界都是墨守成規(guī)，維持64bit的設(shè)計(jì)不變。
相比之下，顯卡作為一個(gè)整體就沒(méi)有那么多的顧忌，只需重新設(shè)計(jì)GPU內(nèi)部的顯存控制器，然后PCB按照位寬要求布線，焊更多的顯存顆粒上去就行了，雖然成本也很高但實(shí)現(xiàn)512bit并沒(méi)有太大難度。
● 多通道內(nèi)存——雙通道/三通道
既然實(shí)現(xiàn)高位寬內(nèi)存條太難，那么就退而求其次，讓兩條內(nèi)存并行傳輸數(shù)據(jù)，同樣可以讓位寬翻倍。目前流行的雙通道技術(shù)就是如此，北橋或者CPU內(nèi)部整合了兩個(gè)獨(dú)立的64bit內(nèi)存控制器，同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)等效位寬就相當(dāng)于128bit。
Intel Nehalem核心CPU直接整合三通道內(nèi)存控制器，位寬高達(dá)192bit。但由于CPU、主板、內(nèi)存方面成本都增加不少，因此在主流Lynnfield核心CPU上面又回歸了雙通道設(shè)計(jì)。事實(shí)上服務(wù)器芯片組已經(jīng)能夠支持四通道內(nèi)存，對(duì)服務(wù)器來(lái)說(shuō)成本方面不是問(wèn)題，只是對(duì)穩(wěn)定性和容錯(cuò)性要求很高。
● 內(nèi)存顆粒位寬：4/8/16/32bit
理論上，完全可以制造出一顆位寬為64bit的芯片來(lái)滿足一條內(nèi)存使用，但這種設(shè)計(jì)對(duì)技術(shù)要求很高，良品率很低導(dǎo)致成本無(wú)法控制，應(yīng)用范圍很窄。
所以內(nèi)存芯片的位寬一般都很小，臺(tái)式機(jī)內(nèi)存顆粒的位寬最高僅16bit，常見(jiàn)的則是4/8bit。這樣為了組成64bit內(nèi)存的需要，至少需要4顆16bit的芯片、8顆8bit的芯片或者16顆4bit的芯片。
而顯卡對(duì)位寬要求很高，容量反而退居其次，所以顯存顆粒的位寬普遍比內(nèi)存顆粒大（這就是顯存和內(nèi)存主要區(qū)別之一），比如GDDR3/4/5顆粒都是32bit，4顆就能滿足低端卡128bit的需要，8顆可以滿足高端卡256bit的需要；而低端GDDR2顆粒為16bit，需要8顆才能組成低端卡128bit的需要。
● 內(nèi)存芯片的邏輯Bank
在芯片的內(nèi)部，內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以bit為單位寫(xiě)入一張大的矩陣中，每個(gè)單元稱為CELL陣列，只要指定一個(gè)行一個(gè)列，就可以準(zhǔn)確地定位到某個(gè)CELL，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。這個(gè)陣列我們就稱為內(nèi)存芯片的BANK，也稱之為邏輯BANK（Logical BANK）。
不可能只做一個(gè)全容量的邏輯Bank，因?yàn)閱我坏倪壿婤ank將會(huì)造成非常嚴(yán)重的尋址沖突，大幅降低內(nèi)存效率。所以大容量?jī)?nèi)存顆粒都是由多個(gè)邏輯Bank疊加而成的。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，我們可以把一個(gè)Bank看作是一片平面的矩陣紙，而內(nèi)存顆粒是由多片這樣的紙疊起來(lái)的。
一個(gè)Bank的位寬就是內(nèi)存顆粒的位寬，內(nèi)存控制器一次只允許對(duì)一個(gè)Bank進(jìn)行操作，由于邏輯Bank的地址線是公用的，所以在讀寫(xiě)時(shí)需要加一個(gè)邏輯Bank的編號(hào)，這個(gè)動(dòng)作被稱為片選。
● 內(nèi)存條的物理Bank
內(nèi)存控制器的位寬必須與內(nèi)存條的位寬相等，這樣才能在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸所有數(shù)據(jù)，這個(gè)位寬就被成為一個(gè)物理Bank（通常是64bit），每條內(nèi)存至少包含一個(gè)Bank，多數(shù)情況下?lián)碛卸䝼�(gè)物理Bank。
一個(gè)物理Bank不會(huì)造成帶寬浪費(fèi)，理論上是最合理的配置，但為了實(shí)現(xiàn)大容量?jī)?nèi)存，單條內(nèi)存多物理Bank也是允許的，但內(nèi)存控制器所能允許的最大Bank數(shù)存在上限，常見(jiàn)的是雙物理Bank設(shè)計(jì)，只有特殊內(nèi)存或者服務(wù)器內(nèi)存才會(huì)使用四Bank以上的設(shè)計(jì)，因?yàn)檫@種內(nèi)存兼容性不好，“挑”芯片組。
事實(shí)上顯卡上也存在雙物理Bank設(shè)計(jì)，目的就是為了實(shí)現(xiàn)超大顯存容量，比如1GB的9800GT，正反兩面共有16顆16M×32bit的GDDR3顯存，總位寬達(dá)512bit，實(shí)際上顯存控制器只支持256bit，這樣就是雙物理Bank。
