內(nèi)存是計(jì)算機(jī)里地位僅次于CPU的一個(gè)硬件，內(nèi)存的好壞也決定著計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行，內(nèi)存的品種繁多，而且內(nèi)存的技術(shù)也涉及到很多領(lǐng)域，下面是筆者對內(nèi)存技術(shù)的詳細(xì)解答。

1、內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別

單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。

2、內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思

這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。

3、內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同

什么是雙通道DDR技術(shù)呢？需要說明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對于P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端總線的P 4 A處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端總線的P4B處理器更是達(dá)到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達(dá)到了800MHZ 前端總線從而需要6. 4 G的內(nèi)存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內(nèi)存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內(nèi)存之間的瓶頸問題。

4、DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同

DDR-II內(nèi)存是相對于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為400MHz或更高。主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的DDR-400產(chǎn)品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800MHZ。